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IRF9Z34 参数 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 140 毫欧 @ 11A, 10V Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 25V 功率 - 最大 88W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 半导体中的电子所具有的能量被限制在基态（ground state）与自由电子（free electron）之间的几个「能带」（energy band）里，也就是电子所具备的能量必定为不连续的能阶。当电子在基态时，相当於此电子被束缚在原子核附近；而相反地，如果电子具备了自由电子所需要的能量，那麽就能完全离开此材料。每个能带都有数个相对应的量子态（quantum state），而这些量子态中，能量较低的都已经被电子所填满。这些已经被电子填满的量子态中，能量最高的就被称为价带（valence band）。半导体和绝缘体在正常情况下，几乎所有电子都在价带或是其下的量子态里，因此没有自由电子可供导电。 常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。