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2SK982 参数 IGSS VGS=+-10V,VDS=0 IDSS BDS=60V,VGS=0 V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0 Vth VDS=10V,ID=1mA Yfs VDS=10V,ID=50mA RDS(ON) ID=50mA,VGS=10V VDS(ON) ID=50mA,VGS=0 Ciss VDS=10V,VGS=0,f=1MHz Crss VDS=10V,VGS=0,f=1MHz Coss VDS=10V,vGS=0,f=1MHz (1) 输入特性也有一个“死区”。在“死区”内，VBE虽已大于零，但IB几乎仍为零。当VBE大于某一值后，IB才随VBE增加而明显增大。和二极管一样，硅晶体管的死区电压VT（或称为门槛电压）约为0.5V，发射结导通电压VBE =（0.6~0.7）V；锗晶体管的死区电压VT约为0.2V，导通电压约（0.2~0.3）V。若为PNP型晶体管，则发射结导通电压VBE分别为(-0.6 ~ -0.7)V和(-0.2~ -0.3)V。 　　（2）一般情况下，当VCE >1V以后，输入特性几乎与VCE=1V时的特性重合，因为VCE >1V后，IB无明显改变了。晶体管工作在放大状态时，VCE总是大于1V的（集电结反偏），因此常用VCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲线。