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汉威电子科技有限公司
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产品分类
强势供应DDR2 1Gb 64M*16 EM44CM1688LBB-25F，EM44CM1688LBB-25F价格强势,EM44CM1688LBB-25F现货库存
- 产品价格：
- ￥0.00/ 1pcs
- 交易说明：
- COD，可开17%税票，支持香港交货，只做原装正品！！！
- 配送说明：
- 原厂分销，深圳地区可送货上门，其它快递代送。
- 厂 家：
- EOREX
- 封 装：
- FBGA84
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 18500
产品咨询直线：0755-82547541
产品详细说明
品牌:EOREX（森富） 型号：EM44CM1688LBB-25F 容量参数：DDR2 1Gb 64M*16 速度：800Hz EM44CM1688LBB-25F 完全PIN TO PIN 替代现代，美光，三星产品，原厂代理，价格质量超强优势，欢迎订购，订购电话：0755-83234073-8038/13710016262 刘小姐/汉威科技 QQ ：173633317
EM44CM1688LBB-25F 1Gb (64M×16)双倍数据速率SDRAM的2
特点
• JEDEC标准VDD/VDDQ=1.8V±0.1V.
•所有输入和输出都兼容SSTL_18接口.
•全差分时钟输入(CK,/CK)操作.
• 4银行
•发表CAS
• 突发长：4和8.
•可编程CAS 延时（氯）：3, 4和5.
•可编程添加剂延时 (AL):0, 1, 2, 3和4.
•写延时 (WL) =读延时 (RL) -1.
•阅读延时 (RL) =可编程添加剂延时 (AL) + CAS 延时（氯）
•双向差分数据选通(DQS).
• DQS中心投入上的数据写入时.
•数据输出时阅读DQS, /DQS边缘.在芯片• DLL对齐DQ, DQS和/DQS过渡与CK过渡.
•糖尿病掩膜写入数据时都在上升和下降边缘的数据选通.
•顺序与交错突发类型可用.
•片外驱动器 (OCD)阻抗调整
•在电路小片终止(ODT)
•自动刷新和自刷新
• 8,192刷新周期/ 64ms
•平均更新周期7.8us在低比Tcase85° 3.9us在85° < Tcase≦95°C,CC
• RoHS遵守
•部分阵列自刷新(PASR)
•高温自刷新速率启用
说明
EM44CM1688LBB-25F是一种高速双日利率2 (DDR2)同步DRAM制造与超高性能CMOS过程包含268,435,456 bits它作为4Mbits x 4举办银行通过16 bits.
此设备实现高速同步double-data-rate传输速率高达667Mb /秒/针一般应用(DDR2-667).该芯片的设计符合以下
关键DDR2 SDRAM的特点：(1)发表CAS与添加剂延时，(2)写延时 =读延时 -1,(3)片外驱动器 (OCD)阻抗调整
与安电路小片终止(4)正常和弱强度数据输出驱动器.控制和地址输入都同步的外部提供的一对差分时钟.输入被锁在十字架上差分时钟(CK点上升和/CK下降）.所有I / Os是同步的双向对闪光灯(DQS并同步在源/DQS)时尚.该地址可以用来表达总线行，列和组地址信息，并在一/RAS/CAS多样式.该512Mb DDR2器件采用单电源：1.8V±0.1V VDD和VDDQ.可用包装：TFBGA-84Ball (12.5mmx10mm,0.8mm x 0.8mm球间距）.
同容量不同速度的其它型号，客户可根据需求选择：
EM44CM1688LBB-3F 64M X 16 tCK5: DDR2-667MHz 5-5-5 TFBGA-84B Commercial Free 商业级
EM44CM1688LBB-25F 64M X 16 tCK6: DDR2-800MHz 5-5-5 TFBGA-84B Commercial Free 商业级
* EOREX reserves the right to change products or specification without notice.
www.eorex.com
