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深圳市颢天电子有限公司
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产品分类
供应IRF7389 场效应管IRF7389特价现货供应
- 产品价格：
- ￥2.00/ 1pcs
￥1.5/ 10pcs
￥1.00/ 100pcs
- 厂 家：
- IR
- 封 装：
- SOP-8
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 15640
产品咨询直线：0755-82546293
产品详细说明
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 26（N 沟道）ns，34（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13（P 沟道）ns，8.1（N 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V（N 沟道），23 nC @ 10 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF @ 25 V（N 沟道），710 pF @ 25 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.029（N 沟道），0.058（P 沟道） | |
| 最大连续漏极电流 | 5.3（P 沟道）A，7.3（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
描述
专为汽车应用.额外这些汽车的合格HEXFET功率的特点MOSFET的1 150°C交界处的工作温度,开关速度快和重复雪崩SFF FS改善.这些优势结合起来,使这个设计用在汽车上的应用和其他应用程序的各种非常有效和可靠的设备.额定值高效SO-8 包装提供增强的热在各种权力的理想特点应用.这表面装载 SO-8可以显着减少电路板空间
