深圳市颢天电子有限公司

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产品详细说明

特点

读取和写入的单电源:2.7V到5.5V、

快速读取访问的的时间– 70 ns (VCC= 2.7V,以3.6V); 55 ns (VCC= 4.5V到5.5V)

内部程序和定时器控制

灵活的部门架构–一个16K字节与编程分离引导部门–两个8K字节的参数部门–八个主要的记忆体部门(一32K字节,七64K字节)

快速擦除的周期的时间– 8秒

Byte-by-Byte编程– 10μs/字节典型

硬件数据保护

数据轮询或切换位程序检测完

低功耗– 20 mA主动电流– 25 µA CMOS待机电流 VCC= 2.7V到3.6V– 30 µA CMOS待机电流 VCC= 4.5V到5.5V100,000写周期

描述

在的AT49BV040B是2.7V,5.5V系统内可再编程闪存.其内存4兆位制造与524,288 8组织作为bits.字Atmel先进的非易失性CMOS技术,设备提供了一个访问时间70 ns (VCC= 2.7V到3.6V)和访问时间55 ns (VCC= 4.5V 5.5V).“功耗在整个工业温度范围内VCC= 2.7V到3.6V是72mW是110 mW与VCC= 4.5V到5.5V.当设备被取消选择CMOS的待机电流少是比30 µA.要允许在系统内可编程简单,AT49BV040B并不需要高输入电压进行编程. 读数数据设备类似从EPROM 读数;它拥有标准CE, OE,的,我们投入避免总线争.重新编程AT49BV040B执行擦除一个扇区,然后一个字节字节的基础上进行编程.字节编程时间是的的快速10 µs.编程或擦除周期结束时,可以选择由数据轮询或切换位功能检测.已检测到一个字节的程序循环结束后,可以开始读或程序的一个新的访问.典型的编程和擦除周期是在过剩100,000周期.通过执行芯片擦除或扇区擦除命令序列,该设备将被删除;设备内部控制的擦除操作.存储器阵列的AT49BV040B被组织成两个8K字节参数部门,8个主要的内存部门,一个引导扇区.该设备有能力保护引导扇区中的数据;命令序列中启用此功能. 16K-byte引导扇区包括输出功能重新编程锁提供数据完全的.旨在引导扇区包含用户代码的安全性,并启用该功能时,引导扇区被永久保护被重新编程