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深圳市邦正电子科技有限公司
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【Infineon Technologies】分离式半导体产品IPB180N04S4-H0全系列进口国产优势供应 销量第一
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | IPB180N04S4-H0 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 180µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 17940pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-7-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB180N04S4H0ATMA1SP000711248 |
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