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深圳市邦正电子科技有限公司
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产品详细说明
| 描述 | MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
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