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供应SSM3K01F东芝场效应晶体管硅SSM3K01FN频道SSM3K01FMOS类型 华洋电子有限公司大量现货出售

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0.36/ 1pcs
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产品详细说明

 

SSM3K01F

低电阻: Ron = 120 mΩ(最大值)(V

GS= 4 V),: Ron = 150 mΩ(最大)(V“

GS= 2.5 V)

低栅极阈值电压:V

th= 0.6~1.1 V (V

DS= 3 V, I

D= 0.1 mA)

单位:mm

绝对最大额定值

TA=25°C)

特征VDS30V

漏源电压VGSS10V

栅源电压

排水电流PD

漏极功耗P200MVVD

通道的温度TCH300

存储温度范围TCH150°C

注意:

连续下使用重物(e.g.的应用

JEITA标准

SC-59

高温/电流/电压和显著变化

温度,etc.)可能导致本产品在减少

东芝

2-3F1F

可靠性显著即使经营条件(i.e.

工作温度/电流/电压,etc.)

重量:0.012 g (typ.)

绝对最大额定值.

请后审查东芝半导体可靠性手册(处理Precautions”/“Derating概念和方法,和个别的可靠性数据(i.e.可靠

性试验报告和的估计故障率,etc).设计适当的可靠性

 

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