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深圳市颢天电子有限公司
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产品分类
供应IRL510 MOSFET 晶体管 IRL510原装现货
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- IR
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- TO-220
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- 12+
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- 25640
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产品详细说明
产品技术参数
典型关断延迟时间 | 16 ns | |
典型接通延迟时间 | 9.3 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 6.1 nC V @ 5 | |
典型输入电容值@Vds | 250 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.7mm | |
封装类型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
引脚数目 | 3 | |
工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3.7 W | |
最大栅源电压 | ±10 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 0.54 | |
最大连续漏极电流 | 5.6 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.41mm | |
高度 | 9.01mm |
描述
先进的HEXFET®国际整流器的功率MOSFET利用先进的加工技术,以实现极低每硅片面积的阻力.这样做的好处,与快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了非常有效和可靠的设备在各种应用中使用的设计师.在D2Pak是一个表面装载电源包装能够容纳电路小片尺寸可达HEX-4.它提供了最高权力能力和中任何现存的表面装载 包装的阻力可能.在D2Pak是适合高电流应用,因为其低廉的内部连接性和可耗散在典型表面装载应用程序2.0W