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驱动MOSFET管IR2113PBF的参数:

类别 集成电路 (IC)
家庭 PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列 -
配置 高端和低端，独立
输入类型 非反相
延迟时间 120ns
电流 - 峰 2.5A
配置数 1
输出数 2
高端电压 - 最大（自引导启动） 600V
电源电压 10 V ~ 20 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 通孔
封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装 14-DIP
包装 管件
标准包装 25

特点
n浮动通道引导操作设计
充分运作,以+600V
耐负瞬态电压
dV/dt免疫
n栅极驱动电源的范围从10到20V
n两个通道欠压分离
n单独的逻辑电源范围从5到20V
逻辑和电源地面±5V偏移
n下拉CMOS施密特触发输入
n循环周期边沿触发关断逻辑
n两个通道相匹配的传播延迟
n在第一阶段与输入输出

描述

IR2113是一种高电压,高速动力有独立的高和的MOSFET和IGBT 动器的低侧参考输出通道.所有权HVIC 锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构.逻辑输入与的标准CMOS或LSTTL输出兼容.
输出驱动器具有高脉冲电流缓冲区舞台设计跨导驱动器tion.传输延迟匹配,以简化在高频应用中使用.浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT的工作600伏在高侧配置.