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深圳市大兴华微电子商行
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供应VISHAY IRFP460PBF,功率MOSFET管 IRFP460PBF
- 产品价格：
- ￥1/ 1pcs
- 交易说明：
- 网上银行付款快捷支付支付宝余额付款
- 配送说明：
- 全国快递
- 厂 家：
- VISHAY
- 封 装：
- TO-247
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 10000
产品咨询直线：0755-83287780
产品详细说明
功率MOSFETI IRFP460PBF参数
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4200pF @ 25V
功率 - 最大 280W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247-3
包装 管件
标准包装 500
Vishay功率MOSFET在1.2V栅源电压时导通电阻值额定
Vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从1.2V总线驱动的功率MOSFET，这些新型TrenchFET还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8V的电池供电系统中无需额外的转换。
在额定电压为1.5V的MOSFET中，在更低的未指定栅源电压(例如1.2V)时导通电阻一般会按指数级增加。通过比较，这些新型1.2V TrenchFET在1.2V栅极驱动时提供了确保的低至0.041Ω的n通道导通电阻以及低至0.095Ω的p通道导通电阻。1.5V栅极驱动的导通电阻性能高于栅源电压规格为1.5V的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。
