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深圳市大兴华微电子商行
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供应功率MOSFET管IRF3205PBF,英飞凌系列MOSFET管IRF3205PBF
- 产品价格：
- ￥1/ 1pcs
- 交易说明：
- 网上银行付款快捷支付支付宝余额付款
- 配送说明：
- 全国快递
- 厂 家：
- IR
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 12+
- 数 量：
- 10000
产品咨询直线：0755-83287780
产品详细说明
IRF3205PBF的参数
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 62A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 146nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3247pF @ 25V
功率 - 最大 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
标准包装 50
包装 管件
描述
先进的HEXFET®国际整流器的功率MOSFET利用先进的加工技术,以实现极低每硅片面积的阻力.这样做的好处,与快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了非常有效和可靠的设备在各种应用中使用的设计师.在D2Pak是一个表面装载电源包装能力容纳电路小片大小HEX-4.它提供了最高权力在任何现有的表面能力和尽可能的导通电阻装载 包装.在D2Pak是为适合高电流应用由于其低的内部连接性和可耗散在典型表面装载应用程序2.0W的.
