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IRFP260NPBF的参数

标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 28A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 234nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4057pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装

　　英飞凌新型P 通道 40V MOSFET系列产品具备的 RDS(ON)，并提供电流范围 50A 至 180A 的各种标准封装方式，衍生出 30 多款系列产品。由于 P 通道 40V OptiMOS P2 产品是作为汽车桥式应用产品的高压侧开关，因此不需要额外的电荷泵装置，可大幅节省成本并提升 EMI  效能。新产品整合脉冲宽带调变(PWM )控制功能，相较于 N 通道MOSFET，具备更佳的散热与雪崩能量表现，因此非常适用于电池反接保护及汽车马达控制应用，例如EPS、马达控制、三相与 H 型桥式马达(雨刷、电子式驻煞车)、 HVAC  风扇控制以及电动泵。

　　以英飞凌第二代沟槽技术为基础， OptiMOS P2具备低闸极电荷、低电容器、低切换损失、高电流及绝佳的优值数(FoM；即 RDSon x Qg)规格，为电动马达提供更高的效能，还能将 EMC 降至。举例来说，其业界的 RDS(on) 2.4mΩ(采用 D2PAK 封装，10V)较市场上其他类型的 MOSFET 低了三分之一。

　　英飞凌藉由推出新型 P 通道 40V 产品，扩展其广获汽车系统采用的马达控制与桥式配置系列产品。桥式配置的高压侧与低压侧皆需要 MOSFET。相较于 N 通道 MOSFET，新型 P 通道装置不需要额外的电荷泵，即可支援驱动直流刷马达或无刷三相直流马达的高压侧开关。同时由于 P 通道可透过简单的驱动电路加以驱动，因此也可节省成本。若采用H 型桥式马达，平均可节省约 5% 至 10% 的成本。