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MOSFET管IRF540NPBF参数:

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 44 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1960pF @ 25V
功率 - 最大 130W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
标准包装 50
 
MOSFET 的分类与区别： JFET 是小信号器件，通态电阻大，常用于射频工作场合；MOSFET，特别是功率 MOSFET， 现在用于功率场合。 对于相同的电压和模片区域， 沟道的通态电阻更高， P 并且价格也更高。 所以绝大多数场合使用 NMOS；当然，在一些高端驱动的场合，驱动 PMOS 要简单的多。 虽然 MOSFET 常用于同步整理中， 但不考虑体二极管 MOSFET 也是双向导通的——漏极到 源极、源极到漏极都可以导通电流。在门极和源极之间加一个电压就可以双向导通了。在同 步整流中，这个反向导通直接短路体二极管，因为电流和导通电阻 RDSon 远小于体二极管 的压降。

MOSFET 的损耗： MOSFET 的损耗由三部分组成：导通损耗、开关损耗、及门极充电损耗；先讨论导通损耗。 导通损耗： 当 MOSFET 全部导通时，漏源极之间存在一个电阻，这个损耗功率的大小取决于 MOSFET 流过的电流大小： P=I2RDSon。 但是， 值得注意的是， 这个电阻会随着温度的升高而增大 （典 型的关系是：R(T)=R(25℃)*1.007exp(T-25℃)）;因此要想知道 MOSFET 内部真是结温，就 要计算出总的功率损耗，算出由此引起（乘以热阻）的温升是多少，然后，重新计算基于新 的温度条件下的电阻值，反复如此计算，直到计算收敛为止。注意，由于真实的热阻并不是 很清楚，这种计算一次迭代就足够精确了。如果一次迭代后不收敛，那么损耗功率可能已经 超过器件的承受功率了。 关于 RDon，你会发现“逻辑电平”FET 存在不足，它们的门极阈值电压确实比普通 FET 要 低，但是正常驱动时，它们的导通电阻较大。典型逻辑电平的 FET 在 VGS 为 4.5V 时 RDon 值可能是 VGS 为 10V 时的两倍。