深圳市大兴华微电子商行 （非本站正式会员）

IRFP064NPBF详细参数:

标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 
FET 特点 标准 
漏极至源极电压(Vdss) 55V 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A 
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 59A，10V 
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA 
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V 
输入电容 (Ciss) @ Vds 4000pF @ 25V 
功率 - 最大 200W 
安装类型 通孔 
封装/外壳 TO-247-3 
供应商设备封装 TO-247AC 
包装 散装
 MOS管种类和结构
　　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
　　至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
　　对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
　　MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
　　在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。