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类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 750 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
功率 - 最大 45W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
标准包装 50

 功率MOS管可否串联使用?

同类型的不可以串接一起，MOS会被击穿，但一般会把MOS并在一起增加导通电流。
MOSFET的VGS耐压一般都会大幅度低于VDS耐压，以目前较常见的75N75为例，VDS耐压75V，电流75A，但VGS耐压只有20V。串接后，从上到下四个节点依次是上端MOS的Drain（D1），上端MOS的Source（S1)，下端MOS的D2（和S1相连），下端MOS的S2，两MOS的GATE G1G2相连，G1G2给高压打开MOS的时候没什么大问题，内阻小，在DS端形成的电压也低。但关断后，即VGS1=VGS2=0V，此时MOS两端的电压和会等于你所加的系统电压，假如是120V，理论上，VDS1会等于VDS2等于60V，即两个MOS形成分压，从上到下的电势依次为D1，120V；S1，60V；D2，60V；S2，0V。而此时，G1G2等于0V，VGS1的电压就是-60V，MOS栅极会被击穿烧毁。