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深圳市联捷科技有限公司
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产品分类
IC芯片(17785)集成电路(IC)(2)电源IC(5)半导体存储器(3)二极管(6)三极管(15)放大器(2)
变容二极管RF广播管开关三极管小信号场效应三极管三极管高频三极管高频电感TDK高频电感微波管放大器高频二极管恒流ICESD保护二极管RF功率三极管二极管RF宽带三极管PIN二极管集成ICRF微波三极管
- ROM（只读存储器）(1)
- OTP（一次可编程ROM）(1)
- RAM（随机存取存储器）(1)
- 贴片/片式/SMD二极管(1)
- 开关二极管(1)
- 变容二极管(1)
- ESD静电二极管(2)
- 肖特基二极管(1)
- 贴片/片式/SMD三极管(1)
- 功率三极管(4)
- 开关三极管(3)
- 低噪声三极管(1)
- 超高频/高频三极管(4)
- 复合(达林顿)三极管(1)
- 快恢复三极管(1)
- 放大器(2)
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供应MT4S200T，MT4S200T价格，MT4S200T原装现货库存
产品详细说明
最大额定值（TA = 25℃）
特性符号额定值单位
集电极 - 基极电压VCBO1.8 V
集电极 - 发射极电压VCEO4五号
发射基地1.2伏电压VEBO
集电极电流IC35毫安
基极电流IB的5毫安
集电极功耗PC100毫瓦
集电极功耗PC（注1）140兆瓦
结温Tj150℃
储存温度范围TSTG-55〜150℃
注：TA =25degC（为1.6mm（T）的玻璃环氧树脂印刷电路板安装时）
微波特性（TA =25℃）
特性符号测试条件最小典型。最大单位
过渡频率fT的VCE= 3V，IC=15毫安⎯30⎯吉赫
| S21e|2（1）的VCE= 3V，集成电路为15mA，F =2GHz的15.0 17.5⎯分贝
插入增益
S21e| 2（2）的VCE=3V，IC=为15mA，F =5.8GHz的⎯9.5⎯分贝
（1）因子的VCE=3V，IC=5MA，F =2GHz的⎯0.751.0分贝
噪声系数
（2）因子的VCE=3V，IC=5MA，F =5.8GHz的⎯1.7⎯分贝
电气特性（TA =25℃）
特性符号测试条件最小典型。最大单位
集电极 - 基极截止电流ICBO VCB的= 8V，即= 0⎯⎯为1μA
辐射源切过电流IEBO VEB的= 1V，IC= 0⎯⎯为1μA
直流电流增益hFE的VCE=3V，IC=15毫安100⎯260 -
输出电容芯VCB=3V，IE= 0，F =1MHz的⎯0.25 0.5 pF的
反向传输电容Cre重组酶的VCB=3V，IE=0，F =1MHz的（注1）⎯0.0740.18 pF的
