- IC型号
北京信通源科技有限公司
- 营业执照：已审核经营模式：经销商所在地区：北京 北京市企业网站：
http://www.iczol.com
收藏本公司 人气：85028
联系方式
- 地址：北京市海淀区复兴路甲38号
- 联系人：刘S 王R 胡S
- 电话：010-88202848/88203284
- 传真：010-82657758
- 手机：13520021132
- QQ：
- E-mail：simanan1980@vip.163.com
产品分类
供应罗姆2.5V驱动型复合晶体管US6M2TR
产品详细说明
罗姆2.5V驱动型复合晶体管US6M2TR
产品概要
电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
2.5V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Tr1) | ||
| Rated parameters | Standard value | Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) | 30 | |
| Gate-Source voltage VGSS(V) | 12 | |
| Drain current(continuous) ID(A) | ±1.5 | |
| Source current(body Di) IS(A) | 0.6 | |
| Total power dissipation PD(W) | 1 | Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) | 150 | |
| Storage temperature Tstg(°C) | -55 ~ +150 | |
| 绝对最大额定值 (Ta=25ºC) (Tr2) | ||
| Rated parameters | Standard value | Conditions |
| Drain-Source voltage VDSS(V) | -20 | |
| Gate-Source voltage VGSS(V) | 12 | |
| Drain current(continuous) ID(A) | ±1 | |
| Source current(body Di) IS(A) | -0.4 | |
| Total power dissipation PD(W) | 1 | Mounted on a ceramic board |
| Channel temperature Tch(°C) | 150 | |
| Storage temperature Tstg(°C) | -55 ~ +150 | |
