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K9MDG08U5D-PCBO 技术参数： 制造厂商：samsung 产品类别：NAND FLASH 工作电压：2.7V-3.6V 0-70工作温度： 存储介质类别： I/O接口位宽: x 8bit 存储密度： 损坏区块：包含坏块 芯片版本：第五代芯片 芯片特征： 封装类型： 封装材料： 无铅 包装： 读取性能 　　NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次）。 写入性能 　　NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。 　FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。