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深圳市元世通电子有限公司
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供应NAND128W3A2BN6E ST 16M 闪存
产品详细说明
NAND128W3A2BN6E技术参数： 制造厂商：ST 产品类别： 闪存 工作电压：3.0V 工作温度：-40--85 存储介质类别： I/O接口位宽: x 8bit 存储密度： 损坏区块： 芯片版本：第二代芯片 芯片特征： 封装类型：TSOP48 封装材料： 无铅 包装：TRAY NAND128W3A2BN6E特点: ●NAND128W3A2BN6E高密度快闪记忆体NAND––512 Mbit存储器阵列大规模的成本有效的解决方案存储应用x8或x16 总线宽度地址/数据复FBGA ●NAND接口––TSOP48 12 x 20mm ●NAND128W3A2BN6E电源电压：1.8V, 3.0V页面大小––x8设备：(512 + 16备用）字节x16设备：(256 + 8备用）词x8设备：(16K + 512备用）字节x16设备：(8K + 256备用） NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
