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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应N沟道场效应管，AO3420 N沟道场效应管
产品详细说明
AO3420 N沟道场效应管
类别：分离式半导体产品
家庭：FET-单路
FET型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：24毫欧@6A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)@25°C：6A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V@1mA
闸电荷(Qg)@Vgs：8.8nC@4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：630pF@10V
功率-最大：1.4W
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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