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　　MW6S004NT1 产品信息：
　　产品种类:  射频MOSFET电源晶体管
　　
　　RoHS:   详细信息
　　
　　配置:  Single
　　
　　晶体管极性:  N-Channel
　　
　　频率:  2 GHz
　　
　　增益:  18 dB at 1.96 GHz
　　
　　输出功率:  4 W
　　
　　汲极/源极击穿电压:  68 V
　　
　　闸/源击穿电压:  12 V
　　
　　最大工作温度:  + 150 C
　　
　　封装 / 箱体:  PLD-1.5-3
　　
　　封装:  Reel
　　
　　最小工作温度:  - 65 C
　　
　　安装风格:  SMD/SMT
　　
　　工厂包装数量:  1000

　　严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
　　晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。 　　晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。 　　晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。