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MBM29F160TE/BE是一个16M位的，只有5.0 V举办的快闪记忆体为2M字节的8位或1M的话
的每个16位。在一个48-pin TSOP（I）包MBM29F160TE/BE提供。该装置被设计成
在系统编程的标准体系5.0 V的VCC供电。 12.0 V VPP不是所需的写入或擦除
操作。该设备还可以在标准EPROM编程器编程。
的标准MBM29F160TE/BE提供了访问时间为55纳秒，70 ns和90 ns的，允许操作的高速
无等待状态的微处理器。为了消除总线争用的器件具有独立的芯片使能（CE），写
使能（WE）和输出使能（OE）控制。
在的MBM29F160TE/BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E2PROMs的。命令是
写入命令寄存器使用标准的微处理器写时序。寄存器内容作为输入
到内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也可以内部锁存
所需的编程和擦除操作的地址和数据。读取数据的设备是
阅读从12.0 V Flash或EPROM器件。

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