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深圳市三汇正兴科技有限公司
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- Fairchild
- 封 装：
- QFN
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 21000
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产品详细说明
数据列表 FDMC4435BZ
产品相片 FDMC4435BZ
产品目录绘图 MOSFET MLP 3.3x3.3
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 8.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2045pF @ 15V
功率 - 最大 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-MLP，Power33
供应商设备封装 MLP（3.3x3.3）
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 FDMC4435BZTR
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等） 、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
