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• 16A, 500V, RDS(on) = 0.38 @VGS = 10 V

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  Low Crss ( typical 20 pF)

  Fast switching

• 100% avalanche tested

  Improved dv/dt capability

 

February 2007 TM UniFET These   N-Channel   enhancement   mode   power   field   effect transistors  are  produced  using  Fairchild’s  proprietary,  planar

 

This  advanced  technology  has  been  especially  tailored  to minimize   on-state   resistance,   provide   superior   switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

  

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公司简介: RFHIC是一家全球领先的设计和制造射频和微波器件的综合产品组合的综合discretes从高功率放大器,利用最先进的技术,包括混合解氮化镓奈米(天干,是成本效益的解决方案提供商为客户提供优质服务。RFHIC有牢固的合作关系CREE提供最成熟的赣技术在市场。RFHIC是一个获《ISO - 900114001认证企业,提供可靠的和可靠的产品。

作为一个的综合设施的解决方案提供商——我们有能力处理MMIC,模具粘合,引线结合、包装、芯片在船上,混合,SMT线、射频测试线、质量控制行动所有在我们的设施。此外,限制有害物质指令(RoHS),和铅的-程序中我们已经实施了。

 

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