主要应用领域：电动车控制器，逆变器，汽车安定器
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产品编号：
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DG5N60
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产品名称：
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DG5N60 VDMOS power transistor
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规 格：
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DG5N60
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产品备注：
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产品类别：
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VDMOS功率场效应管
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Features : High input resistance and low drive current
Sound temperature characteristic
Fast switching speed
Easy to increase current capacity by parallel wayMajor
Applications : Power switching circuit and power amplification circuit
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DG5N60 VDMOS power transistor
Absolute maximum ratings
( Tamb=25oC)
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Parameter
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Symbol
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Rating value
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Unit
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drain current
( continuous )
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ID
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5
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A
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drain source voltage
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VGS
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±30
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V
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drain current
( pulsed )
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IDM
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20
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A
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thermal resistance
（junction case )
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RθJC
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1.04
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℃/W
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dissipated power Tc=25oC
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Ptot
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120
|
W
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junction temperature
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Tj
|
-55 to 150
|
℃
|
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storage temperature
|
Tstg
|
-55 to 150
|
℃
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DG5N60 VDMOS power transistor
Electrical characteristics
( Tamb=25oC)
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Parameter
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Symbol
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Test conditions
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Value
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Unit
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MIN
|
NOR
|
MAX
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D-S voltage
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VDSS
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VGS=0V, ID=250μA
|
600
|
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|
V
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D-S on resistance
|
RDS(on)
|
VGS=10V, ID=2.5A
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|
1.57
|
2
|
Ω
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gate threshold voltage
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VGS(th)
|
VDS=VGS, ID=250μA
|
2
|
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4
|
V
|
|
S-D leakage current
|
IDSS
|
VDS=600V, VGS=0V
|
|
|
10
|
μA
|
|
G-S leakage current
|
IGSS
|
VGS=+30V
|
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|
±100
|
nA
|
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transconductance
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gfs
|
VDS=50V, ID=2.5A
|
|
4
|
|
S
|
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input capacitance
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Ciss
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VGS=0V, VDS=25V, f=1.0mHz
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560
|
730
|
pF
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