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深圳市三汇正兴科技有限公司
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供应分离式半导体产品>FET-单SI4425DDY-T1-GE3，SI4425DDY-T1-GE3原装价格
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- 原装现货，价格优势
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- 可免费提供测试
- 厂 家：
- VISHAY
- 封 装：
- SOP-8
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 5000
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产品详细说明
数据列表 SI4425DDY
产品相片 8-SOIC
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 19.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 9.8 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2610pF @ 15V
功率 - 最大 5.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOIC N
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI4425DDY-T1-GE3-ND
SI4425DDY-T1-GE3TR
半导体（semiconductor），是一种材料的的导电能力介于导体和绝缘体之间，并有负的电阻温度系数的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。如硅、锗、硒等，半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显着。
