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供应BSS84原装正品 P-沟道增强模式垂直DMOS晶体管

  • 供应BSS84原装正品 P-沟道增强模式垂直DMOS晶体管
产品价格:
0.00/ 1pcs
交易说明:
原装现货,自己库存,可先看货
厂 家:
PHI
封 装:
SOT23
批 号:
05+
数 量:
3404
 
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产品详细说明

P-沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体(DMOS) 小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的晶体管
低阈值电压  高速开关  直接接口,CMOS和 晶体管-晶体管逻辑(TTL)   无二次击穿
线电话机的电流断续器设置 I 继电器,高的速度和线路变压器
按照绝对最大额定值系统(IEC 60134)。 符号 参数 条件 最小 最大 单位 V DS 漏极-源极电压 25°C≤T Ĵ ≤150°C - - 50 V V GS 栅极-源极电压 - ±20 V 我 ð 漏极电流 Ţ SP = 25°C,V GS = - 10 V; 请参阅 图1 - - 130 毫安 Ţ SP = 100℃; V GS = - 10 V - - 75 毫安 我 DM 峰值漏极电流 Ţ SP = 25°C; T p ≤10μS; 请参阅 图1 - - 520 毫安 P 合计 总功率耗散 Ţ SP = 25°C,参见图2 [1] - 250 毫瓦 Ţ 英镑 存储温度 - 65 +150 °C Ţ Ĵ 结温 - 65 +150 °C

原装现货,自己库存,可先看货

 

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