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香港铭泰股份有限公司
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供应美格纳MOS管MDI4N60TH，深圳现货
产品详细说明
品牌：MagnaChip/
美格纳型号：MDI4N60TH，TO-251，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，4A，2Ω
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
材料：N-FET硅N沟道
开启电压：5（V）
夹断电压：30（V）
极间电容：450（pF）
最大漏极电流：4A（mA）
最大耗散功率：67.7W（mW）
MDI4N60TH，TO-251，MagnaChip/美格纳，DIP/MOS，N场，600V，4A，2Ω
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
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