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　　STN3NF06L产品参数：
　　类别: 分离式半导体产品
　　FET 型: MOSFET N 通道，金属氧化物
　　FET 特点: 逻辑电平门
　　漏极至源极电压(Vdss): 60V
　　电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4A
　　开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 1.5A，10V
　　Id 时的 Vgs(th)（最大） ：2.8V @ 250μA
　　闸电荷(Qg) @ Vgs :9nC @ 5V
　　输入电容 (Ciss) @ Vds: 340pF @ 25V
　　功率 - 最大 :3.3W
　　安装类型 :表面贴装
　　封装/外壳 :TO-261-4，TO-261AA
　　供应商设备封装 :SOT-223
　　包装 :带卷 (TR)

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