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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应BSM75GB120DLC现货特价，BSM75GB120DLC全新原装，IGBT栅极的保护
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应BSM75GB120DLC现货特价，BSM75GB120DLC全新原装，IGBT栅极的保护，有意者联系13811136672
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.4 V
在25 C的连续集电极电流：170 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：690 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：34MM
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
工厂包装数量：500
IGBT栅极的保护
IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。
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