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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应BSM75GB120DN2特价热卖，BSM75GB120DN2进口正品，保护电路的驱动过流保护原则
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应BSM75GB120DN2特价热卖，BSM75GB120DN2进口正品，保护电路的驱动过流保护原则，有意者联系13811136672
BSM75GB120DN...
参数信息：
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.5 V
在25 C的连续集电极电流：105 A
栅极—射极漏泄电流：320 nA
功率耗散：625 W
最大工作温度：+ 150 C
封装 / 箱体：Half Bridge1
栅极/发射极最大电压：20 V
安装风格：Screw
工厂包装数量：500
保护电路的驱动过流保护原则
IGBT的技术资料表明，IGBT在10μS内最大可承受2倍的额定电流，但是经常承受过电流会使器件过早老化，故IGBT的驱动过流保护电路的设计原则为： 一、当过电流值小于2倍额定电流值时，可采用瞬时封锁栅极电压的方法来实现保护； 二、当过电流值大于2倍额定电流值时，由于瞬时封锁栅极电压会使di/dt很大，会在主回路中感应出较高的尖峰电压，故应采用软关断方法使栅极电压在2μS～5μS的时间内降至零电压，至最终为-5伏的反电压； 三、采用适当的栅极驱动电压.基于上述思想，驱动过流保护电路现分为分离元件驱动过流保护电路和模块驱动过流保护电路北京名动晶华科技有限公司
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