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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应小体积英飞凌BSM100GB120DN2K,BSM100GB120DN2K进口全新,IGBT的过热保护
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应小体积英飞凌BSM100GB120DN2K,BSM100GB120DN2K进口全新,IGBT的过热保护,有意者联系13811136672
参数信息:
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.5 V
在25 C的连续集电极电流:145 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:700 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:Half Bridge1
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Screw
工厂包装数量:500
IGBT的过热保护
IGBT 的损耗功率主要包括开关损耗和导通损耗,前者随开关频率的增高而增大,占整个损耗的主要部分;后者是IGBT控制的平均电流与电源电压的乘积。由于IGBT是大功率半导体器件,损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时),加之IGBT的结温不能超过125℃,不宜长期工作在较高温度下,因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。 散热一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器),并可进行强迫风冷。散热器的结构设计应满足: jmsacsjcjTRRRPT<++∆=)( 式中:Tj-IGBT的工作结温; ∆p-损耗功率;jcR-结-壳热阻; csR-壳-散热器热阻;saR-散热器-环境热阻; jmT-IGBT的最高结温。 在实际工作中,我们采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施,并在散热器上安装温度开关。当温度达到75℃~80℃时,通过关闭信号停止对PMW 发送控制信号,从而使驱动器封锁IGBT的开关输出,并予以关断保护。
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