北京名动晶华科技有限公司 （非本站正式会员）

北京名动晶华科技有限公司供应大体积原装模块BSM100GB120DN2，BSM100GB120DN2特价热卖，IGBT的工作特性，有意者联系13811136672

BSM100GB120DN2的参数信息：

制造商：Infineon

产品种类：IGBT 模块

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

集电极—射极饱和电压：2.5 V

在25 C的连续集电极电流：150 A

栅极—射极漏泄电流：200 nA

功率耗散：800 W

最大工作温度：+ 150 C

封装 / 箱体：Half Bridge2

栅极/发射极最大电压：20 V

安装风格：Screw

工厂包装数量：500

IGBT的工作特性

1 ．静态特性  IGBT的伏安特性是以栅射电压UGE为参变量时，集电极电流IC和集射电压UCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性也可分为饱和区、放大区和击穿区三个部分。在正向导通的大部分区域内，IC与UCE呈线性关系，此时IGBT工作于放大区内。对应着伏安特性明显弯曲部分，这时IC与UCE呈非线性关系，此时IGBT工作于饱和区。开关器件IGBT常工作于饱和状态和阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT的损耗。     IGBT的转移特性是指集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的关系曲线。

2.动态特性。IGBT在开通过程与电力MOSFET的开通过程很相似。这是因为IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的。如图所示，从驱动电压UGE的前沿上升至其幅值的10%的时刻，倒集电极的电流ic上升到其幅值的10%的时刻止，这段时间为开通延时时间tdon，而ic从10%Icm上升至90%Icm所需的时间为电流的上升时间tr。同样，开通时间ton为开通延时时间与上升时间之和。开通时，极射电压Uce的下降过程由tfu1和tfu2两段。前者为IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；后者为MOSFET何PNP晶体管同时工作的电压下降过程。由于UCE下降时IGBT的MOSFET栅漏电容增加，而且IGBT中的PNP晶体管由放大状态转入饱和状态也需要一个过程，因此，tfu1段电压下降过程变缓。只有在tfu2段结束时，IGBT才完全进入饱和状态。 

北京名动晶华科技有限公司

名动三部：张小姐

手机：13811136672

电话：010-62565601

QQ：1737730531