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供应FAIRCHILD原装正品FDC6561AN双N沟道MOS晶体管FDC6561AN PDF资料 FDC6561AN

  • 供应FAIRCHILD原装正品FDC6561AN双N沟道MOS晶体管FDC6561AN PDF资料 FDC6561AN
产品价格:
0.85/ 1pcs
厂 家:
FAIRCHILD
封 装:
SOT-163
批 号:
12+
数 量:
987000
 
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产品咨询直线:0755-82577642

产品详细说明

数据列表 FDC6561AN
产品相片 FDC6561AN
SuperSOT-6 PKG
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图 MOSFET SuperSOT-6
标准包装 1
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 PowerTrench®
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 95 毫欧 @ 2.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 220pF @ 15V
功率 - 最大 700mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型, TSOT-23-6
供应商设备封装 6-SSOT
包装 Digi-Reel®
产品目录页面 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 FDC6561ANDKR

公司业务经营范围

手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商,主要为:低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller(升压IC/控制IC) Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器,经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

 

 

另,微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍,分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重,内阻大。可用低端小电流产品(如MP3、MP4及一些小型产品上)
 

中端MOS管以台系为主,主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能,性能一般。
 
高端MOS管以日系为主:日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。


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