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A1120，A1121，A1122和A1125霍尔效应，单极
交换机是极端温度稳定和抗逆
传感器芯片，特别适合在扩展操作
至150°C的温度范围优异的高低温
通过动态偏移性能成为可能
取消，从而减少的剩余偏移电压正常
由器件超模压，温度依存性及造成
热应力。
每个器件包括一个单一的硅芯片电压调节器，
霍尔电压发生器，小信号放大器，斩波
稳定，施密特触发器，短期短路保护
开漏输出下沉到25毫安。
一个板上的稳压器允许使用的电源电压操作
3至24 V的经营优势下降到3 V是
该装置可用于在3 V应用或额外
更大的电源引脚串联的外部电阻
防止高电压瞬态事件。
对于A1120，A1121，A1122，南极的足够
实力变成对输出。去除磁场
关掉输出。 A1125是互补的，
这些设备，南极变成A1125输出关闭，
去除磁场变成输出。
两种封装形式提供磁性优化的封装
对于大多数应用程序。封装类型LH是修改后的SOT23W
表面贴装封装，而UA是三引脚超小型SIP
通孔安装。每个包的类型是铅（Pb）免费
（后缀-T），以100％雾锡电镀引脚框。                               价比参考介绍，分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重，内阻大。可用低端小电流产品（如MP3、MP4及一些小型产品上）
 

中端MOS管以台系为主，主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能，性能一般。
 
高端MOS管以日系为主：日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。

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