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深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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供应AO3403 MOSFET P 通道，MOSFET P 通道 热卖AO3403
产品详细说明
AO3403产品规格：
| 标准包装 | 3,000 |
|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 2.6A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 500pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1668 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 785-1003-2 |
F9z24n场效应管直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
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| 具体铺位： | 福田区赛格广场24楼2405A | 仓库位置： | 新亚洲二期N1A087 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
