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深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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供应AO3407,分离式半导体产品AO3407 MOSFET P 通道
产品详细说明
AO3407产品规格:
标准包装 | 3,000 |
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类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 48 毫欧 @ 4.3A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 830pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.4W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1668 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 785-1006-2 |
场效应管 - 型号命名
场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
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具体铺位: | 福田区赛格广场24楼2405A | 仓库位置: | 新亚洲二期N1A087 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |