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MOSFET优势IC过电压，电流，温度装置电路保护连接器，互连式无源元件电容器半导体连接器电感器，线圈，扼流圈电池产品光电子产品分离式半导体产品开关机电产品其他电源分立器件自动化及控制设备风扇，热管理电缆组件测试与测量滤波器RF/IF 和 RFID工具与供应紧固件与机械产品电位计，可变电阻器办公用品工具电阻器光电元件和显示器测试设备光电子与显示器光电元件集成电路 (IC)继电器半导体 - 集成电路(IC)硬件，紧固件，配件电线与电缆隔离器嵌入式解决方案电源 - 板载晶体和振荡器静电控制，ESD，无尘室产品开关与继电器工具与生产用具传感器传感器与换能器变压器电缆,电线与组装件电源与线路保护传感器，转换器未定义的类别存储卡，模块计算机，办公室 - 元件，配件线缆，导线 - 管理电缆和电线办公用品与计算机
Si2333CDS-T1-GE3原装Vishay/Siliconix半导体现货供应，环保现货Si2333CDS-T1-GE3价格优惠
产品详细说明
| 描述 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 35 mOhms at 4.5 V |
| 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 35 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1250 mW |
| 上升时间 | 35 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 零件号别名 | SI2333CDS-GE3 |
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