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深圳市熙隆电子有限公司
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产品分类
供应SK16整流二级管，1A 60V SK16整流二级管质优价廉
产品详细说明
SK16产品参数：
| 标准包装 | 3,000 |
|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | 单二极管/整流器 |
| 系列 | - |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大） | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 720mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 500µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA, SMB |
| 供应商设备封装 | DO-214AA (SMB) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SK16-LTPMSTR |
二极管的反向击穿
齐纳击穿: 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿: 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区新亚洲/深圳市福田一期二楼2A158区华强广场C座17E | 仓库位置： | 福田区华强广场C座17E |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
