深圳市五星达电子 (非本站正式会员)

深圳市五星达电子

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联系方式

  • 地址:深圳市福田区华强北路新亚洲二期N1B116
  • 联系人:苏小姐/苏先生
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产品价格:
6.50/ 1pcs
交易说明:
原装现货 库存实时 在线更新
厂 家:
SILICONIX
封 装:
CAN
批 号:
80+
数 量:
2080
 
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产品咨询直线:0755-83661667

产品详细说明

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:否

配置:Single

晶体管极性:P-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):250Ohms

汲极/源极击穿电压:-70V

闸/源击穿电压:+/-30V

漏极连续电流:-5mA

功率耗散:375mW

最大工作温度:+150C

安装风格:ThroughHole

封装/箱体:TO-72

封装:Bulk

最小工作温度:-55C

SYMBOL CHARACTERISTICS 3N163 3N164 UNITS CONDITIONS
MIN MAX MIN MAX
IGSSF Gate Forward Current -10 -10 pA VGS=-40V VDS=0 (3N163)
TA=+125°C -25 -25 VGS=-30V VDS=0 (3N164)
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage -40 -30 ID=-10mA VGS=0
BVSDS Source-Drain Breakdown Voltage -40 -30 V IS=-10mA VGD=0 VBD=0
VGS(th) Threshold Voltage -2.0 -5.0 -2.0 -5.0 VDS=VGS ID=-10mA
VGS(th) Threshold Voltage -2.0 -5.0 -2.0 -5.0 VDS=-15V ID=-10mA
VGS Gate Source Voltage -3.0 -6.5 -3.0 -6.5 VDS=-15V ID=-0.5mA
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current 200 400 pA VDS=-15V VGS=0
ISDS Source Drain Current 400 800 VDS=15V VGS=VDB=0
rDS(on) Drain-Source on Resistance 250 300 ohms VGS=-20V ID=-100mA
ID(on) On Drain Current -5.0 -30 -3.0 -30 mA VDS=-15V VGS=-10V
gfs Forward Transconductance 2000 4000 1000 4000 ms VDS=-15V ID=-10mA f=1kHz
gos Output Admittance 250 250
Ciss Input Capacitance-Output Shorted 2.5 2.5 pF VDS=-15V ID=-10mA f=1MHz
Crss Reverse Transfer Capacitance 0.7 0.7 (NOTE 2)
Coss Output Capacitance Input Shorted 3.0 3.0

StandardPackQty:200