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【PMBFJ111】供应【PMBFJ111】NXP结型场效应 【价格】PMBFJ111【PDF资料】PMBFJ111

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产品价格:
0.95/ 1pcs
交易说明:
供应【PMBFJ111】NXP结型场效应
配送说明:
供应【PMBFJ111】NXP结型场效应
厂 家:
NXP
封 装:
SOT-23
批 号:
11+
数 量:
56300
 
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产品咨询直线:0755-82577642

产品详细说明

数据列表 PMBFJ111-113
产品相片 SOT-23
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 JFET(结点场效应
系列 -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss) 40V
漏极电流 (Id) - 最大 -
FET 型 N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id 10V @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds 6pF @ 10V (VGS)
电阻 - RDS(开) 30 欧姆
安装类型 表面贴装
包装 带卷 (TR)
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 TO-236AB
功率 - 最大 300mW

公司业务经营范围

手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商,主要为:低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller(升压IC/控制IC) Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器,经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

 

 

另,微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍,分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重,内阻大。可用低端小电流产品(如MP3、MP4及一些小型产品上)
 

中端MOS管以台系为主,主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能,性能一般。
 
高端MOS管以日系为主:日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。


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