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深圳市万国高科电子有限公司
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联系方式
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产品分类
供应AO4466 N沟道场效应管，AOS N沟道场效应管
产品详细说明
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫欧 @ 9.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.4A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：820pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装
实体认证查看诚信档案
| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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