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深圳市佳富利电子有限公司
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产品分类
ON Semiconductor NTMD4N03R2G分离式半导体产品，现货供应NTMD4N03R2G接受批量订货
产品详细说明
| 描述 | MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTMD4N03R2GOSNTMD4N03R2GOS-NDNTMD4N03R2GOSTR |
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