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深圳市佳富利电子有限公司
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产品分类
【Vishay/Siliconix】半导体SI4914BDY-T1-GE3全系列进口国产优势供应 销量第一
- 产品价格：
- 电话咨询/ 1pcs
- 交易说明：
- 原装现货库存
- 厂 家：
- Vishay/Siliconix
- 封 装：
- SOIC-8
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 2500
产品咨询直线：0755-61329593
产品详细说明
| 描述 | MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：MOSFET 30V 8.4A/8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky |
| 制造商 | Vishay |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.7 A, 7.4 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 21 mOhms, 20 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SO-8 |
| 封装 | Reel |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 29 S, 33 S |
| 栅极电荷 Qg | 6.7 nC, 7 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.7 W, 2 W |
| 零件号别名 | SI4914BDY-GE3 |
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