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产品分类
供应Vishay/Siliconix半导体SI5513DC-T1-E3，SI5513DC-T1-E3原装正品，SI5513DC-T1-E3现货热卖
产品详细说明
| 描述 | MOSFET 20V 4.2/2.9A |
| RoHS | • 镉（Cd）/镉化合物 0.01% • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10% • 铅（Pb）/铅化合物 0.10% • 汞（Hg）/汞化合物 0.10% • 多溴联苯(PBB)0.10% • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10% 说明：MOSFET 20V 4.2/2.9A |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
| 漏极连续电流 | 3.1 A at N Channel, 2.1 A at P Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 75 mOhms at 4.5 V at N Channel, 155 mOhms at 4.5 V at P Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | Chip FET |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 35 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1100 mW |
| 上升时间 | 35 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 零件号别名 | SI5513DC-E3 |
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