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深圳市佳富利电子有限公司
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产品分类
SI6803DQ-T1特低价供应Vishay/Siliconix半导体,SI6803DQ-T1半导体,厂家直销 量大优惠
产品详细说明
描述 | MOSFET 20V 2.5/2.3A |
制造商 | Vishay |
晶体管极性 | N and P-Channel |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
闸/源击穿电压 | +/- 12 V |
漏极连续电流 | +/- 2.5 A, +/- 2.3 A |
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 95 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel |
配置 | Single Common Dual Drain Dual Source |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TSSOP-8 |
封装 | Reel |
下降时间 | 34 nS, 32 nS |
最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 1 W |
上升时间 | 34 nS, 32 nS |
工厂包装数量 | 3000 |
典型关闭延迟时间 | 25 nS, 22 nS |
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