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微逻辑集成电路（深圳）电子
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供应【SST111】vishay结型场效应【SST111】 价格【SST111】 【PDF资料】SST111
产品详细说明
数据列表 J111-13, SST111
产品相片 SOT-23
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 JFET（结点场效应
系列 -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss) -
漏极电流 (Id) - 最大 -
FET 型 N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 35V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id 3V @ 1µA
输入电容 (Ciss) @ Vds -
电阻 - RDS（开） 30 欧姆
安装类型 表面贴装
包装 带卷 (TR)
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 350mW
