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供应US1B整流二极管,US1B熙隆二极管,US1B贴片二极管

  • 供应US1B整流二极管,US1B熙隆二极管,US1B贴片二极管
产品价格:
65/ 1pcs
交易说明:
1A 100V
厂 家:
XL
封 装:
SMA
数 量:
100000
 
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产品咨询直线:0755-82812295

产品详细说明

  US1B产品参数:
  二极管类型:整流器
  电压 - (Vr)(最大): 100V
  电流 - 平均整流 (Io): 1A
  电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 1A
  速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)
  反向恢复时间(trr): 50ns
  电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5?A @ 100V
  电容@ Vr, F :20pF @ 4V, 1MHz
  安装类型: 表面贴装
  封装/外壳: DO-214AC, SMA
  包装: 带卷 (TR)

  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

  我公司专业生产、研发和销售各种规格型号的桥堆和二极管:1A—50A单相桥式整流器、0.5A—1.5A贴片整流桥、TO220双相桥、10A—100A三相桥式整流器、1A—10A的各类普通二极管1N4001-1N4007、快恢复二极管、高效整流二极管HER系列、超快恢复二极管肖特基二极管、系列。
  贴片二级管系列、稳压二极管、开关二极管、触发二极管、瞬态抑制二极管及各类贴片二极管。我司的产品通过美国UL认证,质量体系通过ISO9002国际认证。我们的经营理念是优良品质、价格、杰出服务、力求创新。

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