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特点
■高密度NAND快闪记忆体
- 高达2千兆位的存储器阵列
- 成本效益的解决方案，为大容量存储设备
应用程序
■NAND接口
- x8或x16总线宽度
- 复用的地址/数据
- 所有密度的引脚兼容性
■电源电压：1.8 V/3.0 V
■页面大小
- x8设备：（2048 +64备用）字节
- x16设备：（1024+ 32备用）字样
■块大小
- x8设备：（128 K+ K备用）字节
- x16设备：字（64 K+2 K备用）
■页面读取/编程
- 随机访问：25微秒（最大）
- 顺序访问：30 ns（最小值）
- 计划时间：200微秒（典型值）
■复制程序模式
■高速缓存程序和缓存读取模式
■快速的块擦除时间：2 ms（典型值）
■状态寄存器
■电子签名
■芯片使能“不在乎”序号选项
■数据保护
- 硬件块锁定
- 硬件编程/擦除锁定在
电源转换
■数据的完整性
- 100 000编程/擦除周期，每块
（ECC）
- 数据保存10年
■ECOPACK®封装。
■开发工具
- 错误校正代码模型
- 坏块管理和损耗均衡
算法
- 硬件仿真模型NAND01G-B2B和NAND02G的，B2C的闪光2112-byte/1056-word页是一个家庭的非易失性
快闪记忆体，使用NAND电池技术。该设备的范围从1千兆至2
千兆位和一个1.8 V或3 V电压供电。一个页面的大小或者是2112
根据设备是否字节（2048 + 64备用）或1056字（1024 + 32备用）
有一个x8或x16总线宽度。
复用的数据输入/输出信号的地址线的一个多路复用x8或
的x16的输入/输出总线。此接口减少引脚数和使得能够迁移
其他密度不改变的足迹。
每块超过100 000个（ECC上），可以进行编程和擦除。为了延长
NAND闪存设备的寿命，强烈建议实施错误
校正码（ECC）。
该器件具有写保护引脚，允许进行硬件保护
编程和擦除操作。
该器件具有漏极开路就绪/忙输出，可以用来识别
编程/擦除/读控制器（P / E / R）是目前活跃。使用漏极开路输出
允许从几个存储器就绪/忙引脚被连接到一个单一的上拉
电阻。
复制返回程序指令是可用来优化管理的缺陷
块。当一个页面编程操作出现故障时，可以对数据进行编程，在另一页
无需重新发送的数据进行编程。
每个设备都有高速缓存程序和缓存读取功能，改进的方案和
对于大文件的读取吞吐量。在高速缓冲存储器编程期间，该设备中的数据加载
高速缓存寄存器，当先前的数据被转移到页缓冲器，并编入
存储器阵列。在缓存读取，该装置加载的数据在高速缓存中的寄存器，而
的先前的数据被转移到要读取的I / O缓冲器。
所有器件都有芯片使能不关心的功能，它允许代码直接
下载的微控制器，芯片使能过渡期间的等待时间不
停止读操作